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半导体双面抛光研磨设备开发技术-209页-针对12寸硅片
首页 >半导体设备资料 >晶圆处理:清洗-研磨-减薄 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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资料描述


内容基本覆盖整个设备的开发技术,包括各种验证和结构设计分析和计算,采用数据和理论以及实践形式来分享技术!非常有价值!可系统性的学习半导体设备开发!

1. 核心技术与研发

  • 行业痛点: 传统“单面分次研磨”或真空吸附式双面加工,因大尺寸硅片的自重、材料微小的弹性恢复以及化学浆料的表面张力,极易产生翘曲和面内厚度不均(TTV) 。此外,国内缺乏全自动的硅片研磨及检测连线技术,多依赖人工操作,生产效率低且存在安全风险

  • 设备目标: 研发一套集成了大尺寸硅片双面研磨、双面抛光、清洗干燥、厚度自动测量(TTV)及表面缺陷检测于一体的水平闭环反馈控制复合自动抛光系统

2. 机械结构设计与物理仿真优化

  • 4Way 4Motor 研磨驱动系统设计: 为避免真空吸附带来的回弹变形,设备采用非吸附式的游星齿轮机构 。通过分别独立控制太阳轮、内齿圈、上研磨盘和下研磨盘的4电机独立驱动方案,提供丰富的工艺调节条件

  • 游星轮游星复位机构研发: 针对4Way驱动导致硅片载具停靠位置随机、难以实现机械手精确抓取的痛点,研发团队专门计算了传动比与电动机减速比,开发了能使载具精准自转/公转复位到特定停靠点的控制机构,确保了自动化对接的可靠性

  • 刚度与振动保刚设计: 通过有限元解析(Ansys),对机身下部主框架进行了静/动态载荷校核 。针对上部施压机构在气缸高压(如60 kgf)下结构件产生的微小变形(原设计0.3 mm,极度影响TTV),通过追加加强肋(Rib)优化设计,将整体结构变形量成功压低至0.18 mm以内,确保了高速运转下的平面度和高刚性

3. 工艺自动化单元与机械手接口

为了将离散的工艺整合为高吞吐量的水平自动化线,项目重点开发了以下专用搬送及校准单元

  • 大尺寸硅片定心对中模块: 设计了最大具备 ±5mm 偏心纠错能力的双侧半圆形气动定心夹具 ,并引入弹簧缓冲和柔性橡胶托底设计,防止薄片在高速对中撞击和滑动中产生碎片或下表面刮伤

  • 双臂防干涉专用机械手: 在研磨机前端集成了由双段铰链气缸驱动、具备3位置(初始/大气/研磨位)多角度旋转的专用装卸载机构 

    • Loader(上料爪): 采用具有10mm弹性补偿的柔性4点吸盘,适应微小的表面倾角

    • Unloader(下料爪): 考虑到刚加工完的硅片表面附着有高黏度抛光液,特别集成了“二流体(水+气)清洗喷嘴”。在实施真空吸附前先对抓取面进行局部局部冲洗和吹扫,避免吸附失效导致抛光片跌落

4. 闭环控制系统与工艺优化

  • 多级压力气动控制系统: 开发了可编程多级加压的控制全回路,能够根据工艺配方对上研磨盘施加毫秒级的动态压力切换

  • 测量反馈网络: 在出料端集成在线非接触式厚度测量仪 。当系统检测到加工厚度未达到目标设定的TTV要求时,控制系统会自动将偏差值反馈至加工主机,实现数据闭环,指导工艺参数修正或控制工件进行补抛(再加工)