多堆叠批量式高产能选择性外延（SEG）设备，替代单片式 SiGe 外延机，适配 10nm 及以下 FinFET 逻辑、存储芯片源漏应力层工艺.
文档包含整机零部件采购清单、硬件图纸、流体 / 热场仿真数据、设备故障维护设计、腔体、加热、气路结构专利、产线导入规划、大尺寸设备硬件方案，完整记录从原型、改良到量产设备全流程硬件开发、测试、改良全过程。
现有量产设备均为单片式 RP-CVD，单腔每小时产能仅 2~4 片，产线需要大量设备堆叠，成本高；
选择性外延存在加载效应（Loading Effect）、片内 / 片间厚度、Ge 浓度均匀度差、高 Ge 组分薄膜易产生位错缺陷；
传统单区加热、单一进气喷嘴无法实现整片晶圆中心 / 边缘精准控温、控气，无法满足 10nm 精细图案选择性生长要求；
市场无大批量多堆叠 SEG 量产机型，立项研发多槽批量式全新设备架构。
创新Multi-Stack 多堆叠批量反应腔集群式设备架构，搭配独立预清洗腔、缓冲腔、晶圆传输 EFEM 模块：
腔体结构：多槽石英舟同步承载多片 12 寸晶圆，区别传统单片腔；配置双通路独立进气喷头、分区加热模组；
热源系统：创新水平 4 区 + 垂直双区复合 HV 加热器，可单独调控晶圆边缘 / 中心温度，解决边缘厚度漂移；
气路系统：独立分区分流喷淋头，分层导流消除涡流，精准控制 SiH₄/GeH₄/HCl 前驱体流量，弱化加载效应；
配套预清洗腔体：集成等离子原位除天然氧化层，晶圆全程真空不暴露，减少界面缺陷；
整机自动化：双臂真空机械手、自动温控 / 气体流量控制系统、腔体自熟化程序。
复合多区 HV 加热器：水平 4 区 + 垂直 2 区独立温控，边缘温度可独立升降，解决晶圆边缘外延厚度偏高行业通病，片内厚度均匀度控制至 1% 以内；
双通道分层气体喷淋头：分区供气、差异化抽气结构，降低高低宽幅图案加载效应至 3.5%；
全石英内衬腔体 / 抽气屏蔽件：隔绝含 Cl 工艺气体腐蚀金属，大幅降低金属颗粒污染；
大容量多槽石英晶圆舟，配套专用传输治具，兼顾产能与晶圆磕碰防护；
集成式预清洗等离子腔体硬件，配套专用气体分配组件。
硬件配套工艺研发：基于自研腔体开发高低 Ge 浓度 Si、SiGe、Ge 选择性外延配方，配套不同前驱体（Si₂H₆、Si₃H₈）适配低温 10nm 工艺；
配套检测硬件与实验平台：联合高校搭建 TEM、AFM、SIMS、X 射线应力检测设备，用于设备输出薄膜缺陷、厚度、掺杂、应力表征；
对标海外设备：单腔产能≥9 片 / 小时、片内厚度均匀＜1%、Ge 浓度均匀＜1%、颗粒≤12 颗、加载效应＜10 等硬性硬件工艺指标。
