客服
干法清洗设备技术:半导体先进制程10nm无损气相清洗
首页 >半导体设备资料 >晶圆处理:清洗-研磨-减薄 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
49
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
资料描述

资料一共230页!来自海力士供应商和海力士联合开发的设备,内部研发资料!请慎用!以下为内容概述:

  1. 传统工艺短板:湿法清洗各向同性蚀刻、耗废水、微图案控差;常规等离子干法清洗产生充电 / 物理等离子损伤,无法适配 10nm 精细接触孔、浅沟槽、栅极预清洗等工序。

  2. 技术路线:采用远程等离子气相清洗(Vapor Phase),核心是 NF₃/H₂O 无固态副产物工艺,消除图案倾斜缺陷,实现低损伤、高选择比。

  3. 市场定位:对标海外进口干式清洗机,覆盖 300mm 晶圆,同步前瞻布局 450mm 机型研发。

完成 300mm 全套集群设备,用闪存、STI 图案晶圆做量产级工艺验证;同步启动 450mm 腔体、四区温控 ESC、磁传输机构设计。

射频源、真空泵、温控模块、ESC 等核心部件采购明细等

核心硬件开发技术

  1. 改良型螺旋 CCP 远程等离子源:陶瓷绝缘基底,抗氟离子轰击,寿命提升,可高低功率切换,精准控制自由基浓度,减少晶圆带电损伤。

  2. 分区温控复合 ESC 吸盘:初代陶瓷易吸水漏电,迭代 PI 薄膜 + 陶瓷复合结构,多区独立控温,温度均匀度<3%,夹持力稳定、漏电流极低,适配水汽工艺。

  3. 双通路喷淋、分层加热挡板、双腔生产架构(反应腔 + 退火一体化,无需独立热处理腔体);搭配双臂真空传输、EFEM 晶圆搬运模块。

  4. 配套监测:压力、漏率实时监控,搭载工艺自动化控制软件。

    两代工艺对比

    1. NF₃+NH₃:产生 (NH₄)₂SiF₆固态残渣,污染图案;

    2. NF₃+H₂O:无固态副产物,仅气态生成物,无残留水斑,是量产主力配方。

  5. 关键性能指标

    1. 氧化层对氮化膜选择比 65:1,氧化层对多晶硅 167:1;

    2. 氧化层可调蚀刻速率:最高 534Å/min、最低 29Å/min;

    3. 片内均匀度<2.3%、片间均匀度<2%;腔体漏率、本底压力、颗粒物指标全部达标。