外企内部研发部研发报告，十分的详细！绝对有价值！对了解减薄的设备十分有意义！
半导体封装 / 后道核心精密设备，对已完成正面电路制程的硅 / 碳化硅晶圆背面做机械磨削减薄，将原厂 725–775μm 标准晶圆减薄至 20–100μm 超薄厚度，是划片、键合、3D 堆叠封装前必备工序设备。
晶圆正面贴保护膜，真空吸附在多孔陶瓷承片台并自转；
空气静压主轴带动杯型金刚石砂轮高速反向旋转；
砂轮低速微量进给，分三段阶梯磨削：
粗磨：大粒度砂轮，快速去除 50–150μm 余量，效率高；
精磨：细粒度砂轮，控制最终厚度、降低表面损伤层；
抛光（选配）：纳米级平整，减小晶圆应力、提升散热界面质量。
| 英文 | 中文行业叫法 |
|---|---|
| Back Grinding | 背磨、背面减薄 |
| BG Process | 背磨工序 |
| TTV (Total Thickness Variation) | 晶圆总厚度差（核心精度指标） |
| In-feed Grinding | 切入式磨削（主流结构） |
| Diamond Wheel | 金刚石砂轮 |
| Protective Tape | 正面保护贴膜 |
