Reflexion® LK 是应用材料（AMAT）300mm（12 英寸）晶圆专用化学机械平坦化（CMP）量产平台，承接经典 Mirra 系列迭代，是全球先进制程芯片量产主流 CMP 设备，专为逻辑、存储、先进封装的介质 / 金属薄膜全局平坦化设计，兼容 45nm 及以下先进工艺，衍生基础版、LK Prime 高产能版、eCMP 电化学铜抛光三大子型号。
晶圆载片区（左侧 4 工位装载口）4 个 FOUP 晶圆盒装载端口，带自动晶圆识别、预清洁模块，减少颗粒缺陷，支持全自动上下料、晶圆预对准。
抛光核心区（中部转盘研磨单元）行业独有的三转盘连续抛光架构，可完成三步式抛光（粗抛→精抛→终点停抛）；标配多区压力可控研磨头，支持极低抛光下压力，适配脆弱低 k/ULK 超低介电薄膜，避免层间塌陷、碟形凹陷缺陷。
基础 LK：3 个抛光转盘 + 4 组清洗工位
LK Prime 升级款：6 抛光工位 + 8 集成清洗工位，产能提升 100%，适配高产能晶圆厂
后端清洗干燥模组（整机右侧机柜区）集成多道物理 + 化学清洗、纯水漂洗、真空干燥单元，抛光后即时去除浆料颗粒、金属残留，大幅降低晶圆表面缺陷密度。
电控与耗材机柜（整机下层 / 侧部封闭舱体）包含浆料输送、抛光垫修整、化学药液供给、真空、温控、原位量测控制系统，全封闭钣金工业金属机柜，防尘、控温、防腐蚀。
宽带光谱光学检测（介质抛光）+ 霍尔涡流传感（金属铜 / 钨抛光）双模式；
全覆盖扫描整片 300mm 晶圆，精准捕捉薄膜完全剥离终点，杜绝过抛 / 欠抛，显著提升工艺良率 Cpk 值，抵消抛光垫、浆料、来料晶圆厚度波动带来的工艺漂移。
iScan 实时形貌调节系统，抛光过程中动态调整研磨头分区压力，自动补偿电镀铜、氧化层晶圆厚度不均，保证片内（WIW）、片间（WTW）厚度均匀性，适配先进节点严苛薄膜公差要求。
针对 65nm 及以下铜互连低 k 介质开发，依靠电化学溶解替代纯机械研磨，铜去除速率可达 6000Å/min，极低机械压力，完美解决超薄低 k 膜易损伤、铜布线碟形凹陷、介质过蚀痛点，是先进逻辑芯片主流铜抛光方案。
可覆盖芯片制造全流程平坦化工序，单平台兼容多工艺切换：
介质 CMP：STI 浅沟槽隔离、ILD 层间氧化硅、高 k 栅介质、多晶硅抛光；
金属 CMP：钨接触孔（W Plug）、铜双镶嵌互连（Cu Dual Damascene）、铝金属层；
先进存储 / 功率器件：3D NAND 多层介质平坦化、功率器件厚氧化层抛光；
先进封装：TSV 硅通孔、RDL 重布线层晶圆平坦化。
极低损伤工艺窗口多区低压研磨头 + 电化学可选方案，适配超薄、脆弱低 k/ULK 薄膜，先进制程缺陷率远低于竞品平台；
高产能模块化设计LK Prime 双抛光链并行架构，产能较初代翻倍，适配 8 万片 / 月以上高产能晶圆厂；
一体化清洗链路抛光 - 清洗 - 干燥无缝集成，无需离线转运，颗粒缺陷降低 40% 以上；
全闭环智能工艺控制原位终点 + 实时轮廓调节 + 机台内置量测，减少离线检测频次，缩短工艺调试周期；
平台通用性强更换抛光垫、浆料、检测模块即可切换介质 / 金属工艺，减少产线设备采购成本。
AMAT Reflexion LK 系列长期占据全球 300mm CMP 设备 70% 以上市场份额，是台积电、三星、中芯国际、长江存储等主流晶圆厂先进制程标配设备，同时大量二手设备流通于成熟制程产线，是半导体平坦化工艺的标杆平台。
