先进封装（2.5D/3D、CoWoS、HBM、混合键合 Hybrid Bonding、FOPLP 扇出）将 CMP 从前道 BEOL 单一铜抛光，拓展为中道核心工艺，直接倒逼 CMP 主机、配套清洗、量测、电镀 / 刻蚀、键合全链条设备重构硬件、控制、耗材与工艺链路。
HWB 技术通过降低热预算来提升CMOS性能，并因采用独立工艺流程而降低成本。三维结构解决了光刻工艺中的难题，将瓶颈环节转移至蚀刻工艺阶段。混合键合技术可通过降低对蚀刻工艺的要求，可靠地实现多层堆叠结构的制造。目前可提供TSV首层、TSV末层以及TSV中间层三种工艺方案。
