应用材料 Endura 平台 EnCoRe3 HT 钽 / 氮化钽 PVD 腔室，CuBS（Copper Barrier/Seed，铜阻挡层 / 种子层）模组，用于先进逻辑 / 存储铜互连的 Ta/TaN 阻挡层沉积。 EnCoRe = Enhanced Coherent Re-sputtering（增强型可控再溅射）；HT = High Temperature 高温版本；Ta (N) = Ta / TaN 双层阻挡膜
平台：Endura® 单晶圆多腔集成平台（UHV 超高真空）
技术路线：SIP Self-Ionized Plasma 自离子化等离子体 PVD + 可控再溅射（Re-sputter），是 EnCoRe II Ta (N) 的下一代升级腔室，HT 代表高温静电吸盘工艺版本Applied Ma...
核心用途：铜互连通孔 / 沟槽的 TaN（扩散阻挡层）+ Ta（衬底黏附层）原位连续沉积，阻止 Cu 扩散进低 k 介质，同时为后续 Cu 种子层提供黏附界面Applied Ma...
SIP 高电离磁控溅射高电离 Ta 等离子体，离子定向轰击，对高深宽比（HAR）通孔侧壁实现高保形覆盖；内置线圈 + 独立磁体，可切换沉积 / 再溅射模式，通过选择性反溅射优化侧壁膜厚、减小底部过厚，抑制悬突（overhang）。
HT 高温 ESC 静电吸盘区别于低温 EnCoRe II；HT 版晶圆基座支持高温工艺控温，调控 Ta (N) 薄膜微观晶粒、应力、电阻率，改善与 low-k 介质界面稳定性，提升电迁移 EM 可靠性。
原位双层 Ta/TaN 沉积同一腔室、同一 Ta 靶，通过切换反应气体（N₂/Ar）实现：先沉积 TaN 阻挡层，再沉积 Ta 黏附层，无需转移晶圆；膜厚可向下调至极薄（几 nm 级别），降低金属线电阻，满足先进节点缩放需求。
硬件设计
平面 Ta 靶，低缺陷、长靶寿命，降低 COC
独立多区电磁，膜厚均匀性可调
带偏置能力的高温 ESC，晶圆温度均匀控制
腔室 UHV 真空，减少界面氧化污染
提升高深宽比结构侧壁覆盖，减少通孔底部 / 侧壁薄膜不连续
薄膜应力、晶粒可控，降低 EM/SM（电迁移 / 应力迁移）失效风险
超薄阻挡层方案，减小 RC 延迟，适配 2xnm 及以下逻辑、DRAM 铜互连
同 Endura 平台可和 Aktiv Preclean、EnCoRe Cu seed 腔室同平台集成，全程超高真空不破坏界面，避免氧化污染
