磁控溅射属于物理气相沉积 PVD，依靠等离子体离子动量轰击靶材，把靶原子 “撞出来”，在晶圆 / 基板上凝结成薄膜；区别于 CVD 的化学反应生长。半导体 Fab 的 PVD（AMAT Endura、Vectra 等）就是这类设备，用来做 Ti/TiN、AlCu、TaN、Cu 种子层，和你前面看的 Lam ALTUS 钨 CVD 是金属化搭档。
真空腔通入 Ar（氩气，惰性气体），电场电离 Ar→Ar⁺正离子。 Ar⁺在电场加速轰击阴极靶材，不是热蒸发，是动量传递：离子撞击靶表面，在晶格内发生碰撞级联，部分靶原子获得足够动能脱离表面，变成中性原子飞出靶面抖音百科。
溅射产额 Y：单个入射 Ar⁺打出的靶原子数量
存在阈值能：一般 10~30eV，低于阈值无溅射；
500eV 附近金属产额较高；能量过高变成离子注入，产额反而下降；
高原子序数金属（Ag、Au）Y 大；难熔金属 W、Mo、Ta Y 偏低（0.4~0.6）。
靶背面布置永磁体，在靶面形成闭合环形磁场（跑道 racetrack）：
二次电子在电场 E + 磁场 B下做摆线回旋运动，延长在靶面附近的停留时间；
更多电子碰撞 Ar，大幅提升电离效率；
优势：低压、高沉积速率、基板温升低。 普通二极溅射需要高气压；磁控溅射常用1~15 mTorr，原子平均自由程更长，薄膜杂质更少。
电子耗尽能量后脱离磁场，打到基板时能量很低，所以磁控溅射属于低温 PVD，适合塑料、玻璃、热敏介质。
决定薄膜微观结构、应力、孔隙率：
Zone1（高压、低温）：原子扩散弱，多孔柱状晶，拉应力；台阶覆盖好，但膜疏松、电阻率偏高
ZoneT（过渡区，工艺优选窗口）：致密细晶，低孔隙，压应力，半导体 PVD 目标区间
Zone2（中温）：晶粒长大，柱状晶，晶界清晰
Zone3（高温）：再结晶，等轴大晶粒
衬底偏压（Substrate Bias）：给晶圆加负偏压，离子回轰正在生长的薄膜，打断疏松柱状结构，提升致密度、改善台阶覆盖；但偏压过高会造成离子损伤、薄膜溅射回蚀。
