ALTUS 原属于 Novellus（被 Lam Research 收购），是半导体行业钨插塞（W Plug）/Contact/Wordline的主力 CVD 平台，业界经典钨沉积设备系列，核心是ALD 成核层 + CVD 体层填充一体化Lam Resear...。

✅ 平台定位

• 用途：芯片接触孔 Contact、局部互连 Via、3D NAND 字线 Wordline、DRAM 接点钨填充（Tungsten plug fill）

• 工艺路线：MSSD Multi-Station Sequential Deposition 多工位顺序沉积架构：同一腔体内分工位完成【ALD 成核层 → CVD 厚钨填充】原位连续制程，无需传片，高产能

• 核心专利技术：PNL™ Pulsed Nucleation Layer 脉冲成核层（ALD 成核），解决高深宽比结构的空洞填充问题Lam Resear...

✅ 主要子型号

1. ALTUS（初代）：早期节点钨 CVD，基础 Contact 填充

2. ALTUS Max：主力量产平台，PNL 标配；衍生两大工艺包

• CoolFill™：低温工艺（<395℃），降低传质效应，减少高深宽比结构空洞，面向 28nm/32nm 节点Lam Resear...

• ExtremeFill™（EFx 模块）：>100% 台阶覆盖能力，针对 3D NAND、高 AR 结构，可现场升级旧 ALTUS Max 设备Lam Resear...

ALTUS DirectFill™：集成 ALD WN（氮化钨）阻挡层，原位沉积阻挡层 + 钨成核，进一步缩减阻挡层厚度，降低接触电阻

✅ 标准钨 CVD 化学反应（传统 WF₆体系）

• 前体：WF₆（六氟化钨），还原剂：SiH₄ / B₂H₆ / H₂\(WF_6 + 3H_2 \rightarrow W + 6HF\)

1. 成核阶段（PNL ALD）：脉冲式吸附 WF₆+ 还原剂，形成连续、薄且均匀的 W 晶核层

2. Bulk CVD 填充：H₂还原 WF₆

痛点：HF 氟根会侵蚀低 k 介质；新一代 ALTUS 工艺推出低氟 / 无氟前体方案，用于 3D NAND/DRAM，降低介质损伤、薄膜应力Lam Resear...

✅ 关键优势

1. 无空洞填充（Void-free fill）：PNL ALD 成核，侧壁覆盖好，避免开口提前闭合

2. 原位集成：同一腔体完成阻挡层 / 成核层 / 体钨，减少晶圆暴露，提升良率与产能

3. 低应力、低电阻率钨膜，适配 3D NAND 堆叠字线

4. 可兼容 Mo ALD 沉积（备选金属化），用于部分先进节点替代钨接点Lam Resear...

✅ 典型工艺流程（Contact 钨 Plug）

Ti/TiN 阻挡层 → ALTUS PNL ALD W 成核层 → ALTUS CVD W 体填充 → CMP 钨回蚀

✅ 应用节点

• 逻辑：28nm 及以上成熟节点 Contact Plug；部分特色工艺

• 存储：3D NAND Wordline（字线钨）、DRAM Contact（当前 ALTUS 最核心市场）