粗研→精研→湿式抛光应力释放→清洗、RM 模组（BG 保护膜剥离 + DC 切割膜自动贴附）集成在单机，目标量产薄至 15μm 晶圆；搭配激光切割集成方案可稳定加工 25μm 超薄芯片（GAL 工艺，低崩边无损）东精精密设...。
NCIG：非接触在线测厚 + Auto TTV 自动控制不包含 BG 胶带厚度的真实晶圆厚度实时测量，闭环控制总厚度偏差 TTV，超薄片工艺稳定性大幅提升。
EGF 外部电荷聚集（Gettering）选配背面研磨抛光同时制备吸杂层，提升超薄芯片抗弯强度，多用于存储器芯片。
RM 一体化模组下料时自动剥离正面 BG 保护胶带，背面贴切割 DC 膜，直接出片到切割框架，省去离线贴膜工序，是 RMX 型号核心区别于基础 PG3000 的亮点。
湿式抛光（应力释放）区别于单纯砂轮研磨，去除研磨损伤层、降低晶圆翘曲与残余应力，超薄晶圆必备。
产能参考20 WPH @25μm 减薄工况（20 片 / 小时）ACCRETECH。
存储器、功率器件、先进封装（Fan-out、2.5D/3D 堆叠）超薄晶圆背面减薄。
PG3000RMII 为后续升级换代机型，RM 贴剥机构、控制系统更新，RMX 是前代主力量产机型。
晶圆正面贴 BG 保护胶带 → 背面粗磨 → 精磨 → 湿式抛光应力释放 → 清洗 → RM 单元：剥离正面 BG 膜、背面自动贴 DC 切割膜 → 出料至切割环。
