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CVD薄膜沉积全套-AMAT-Producer XP-先进封装3D NAND、先进 DRAM、FinFET制程-新版资料
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [上传图纸即可免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 1
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资料描述

Producer XP 是 AMAT 经典 Producer 平台的 300mm 升级增强版,2014 年推出,主打3D NAND、先进 DRAM、FinFET的高精度 CVD 薄膜沉积,属于量产型集群式 CVD 设备,和你前面看的 P5000 隔了两代架构Applied Ma...。

都是新版资料5年左右的年份!

核心平台基础

  • 母平台:Producer(1998 首发,200/300mm,Twin Chamber 双腔并行);XP 是 Precision 腔室升级版本,只做 300mm

  • 架构:Twin Chamber™ 孪生腔设计,一个工位 2 个独立工艺腔,整机最多可搭载6 个工艺腔(3 组 Twin),最多同时处理 6 片晶圆,吞吐量远高于老 Centura

  • 真空:Loadlock + 中央传输真空机械手,集群模块化,腔室可混配

  • 目标节点:28nm 往下,3D NAND 多层堆叠、DRAM 高 AR 电容、FinFET 硬掩膜

核心腔室与工艺(XP Precision 系列)

XP 的核心卖点就是 Precision 腔,专门解决 3D 结构纵向膜厚均匀性(多层堆叠累积误差),不再只满足平面 CD 控制Applied Ma...

  1. Precision CVD(主腔)

  • 交替多层介质沉积(3D NAND ON/OFF 堆叠:氧化硅 / 氮化硅)

  • Saphira™ APF 硬掩膜:高选择比、低应力,用于高深宽比刻蚀,多层 NAND 堆叠必备

Draco™ CVD(XP Precision Draco)

  • DRAM 电容硬掩膜,相比传统硬掩膜选择比提升 30%,掩膜层可以做更薄,降低电容孔刻蚀难度,和 Centris Sym3 Y 刻蚀机配套工艺方案Applied Ma...

其他可配薄膜:TEOS 氧化硅、SiN、低温 PECVD、应变膜、a-Si、SiGe、低 k 介质