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晶圆制造:光刻 显影 刻蚀 热处理等 晶圆制造：镀膜 PVD CVD等 晶圆处理：清洗 研磨 减薄 等 晶圆量测：量测 检测 光学等 晶圆切割：划片 激光等 先进封装：键合类DB WB TCB HB等 核心部件技术：平台 chuck 运控等 封测探针：测试 编带 分选等 高端装备：精机 3C SMT等 报告-工艺：半导体标准 前沿市场等 半导体其他资料
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晶圆制造:光刻 显影 刻蚀 热处理等 晶圆制造：镀膜 PVD CVD等 晶圆处理：清洗 研磨 减薄 等 晶圆量测：量测 检测 光学等 晶圆切割：划片 激光等 先进封装：键合类DB WB TCB HB等 核心部件技术：平台 chuck 运控等 封测探针：测试 编带 分选等 高端装备：精机 3C SMT等 报告-工艺：半导体标准 前沿市场等 半导体其他资料
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LPCVD低压化学气相沉积设备及工艺开发技术
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造：镀膜 PVD CVD等 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系，感谢您的支持！ [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦！ 0
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图纸预览图
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资料描述
这份资料一共有96页！专门讲解和研究低压化学气相沉积设备的详细技术设计和技术计算分析！ 低压化学气相沉积一般用于90nm以上的薄膜沉积主流工艺，用于沉积氧化硅、氮化硅、多晶硅、碳化硅、氮化镓和石墨烯等薄膜，相较APCVD，LPCVD方法沉积的薄膜厚度均匀性好，台阶覆盖性好，沉积速率快，生产效率高，沉积的薄膜性能更好，因此应用范围更为广泛。
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资料信息
资料ID ：80
文件大小：7M
资料格式：pdf
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